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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:2006
学科主题:半导体材料
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MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525
作者:
Xiao Hongling
;
Wang Cuimei
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提交时间:2010/11/23
Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
AlGaN/AlN/GaN
two-dimensional electron gas
MOCVD
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
POLARIZATION
TRANSISTORS
GANHEMTS
GAS
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