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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 RF-MBE Grown AlGaN/GaN HEMT Structure with High Al Content 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1116-1120 作者:  Liu Jian 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 X-Band GaN Power HEMTs with Power Density of 2.23W/mm Grown on Sapphire by MOCVD 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1865-1870 作者:  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23