QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of ion-induced defects and oxygen concentration in annealing atmosphere on formation of buried oxide layer in SIMOX materials 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 305-309 Chen, J; Wang, X; Jin, B; Zhang, E; Sun, J; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTED SILICON  ISOTOPIC EXCHANGE  ON-INSULATOR  SI  TEMPERATURE  DIFFUSION