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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2004    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing ambient controlled deep defect formation in inp 期刊论文 European physical journal-applied physics, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169 作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Deep level defects in high temperature annealed inp 期刊论文 Science in china series e-engineering & materials science, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 320-326 作者:  Dong, ZY;  Zhao, YM;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Inp  Defects  Annealing ambience   Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 会议论文 10th international conference on defects - recognition, imaging and physics in semiconductors (drip 10), batz sur mer, france, sep 29-oct 02, 2003 Zhao YW; Dong ZY; Duan ML; Sun WR; Zeng YP; Sun NF; Sun TN 收藏  |  浏览/下载：20/1  |  提交时间：2010/10/29 FE-DOPED INP  SEMIINSULATING INP  POINT-DEFECTS  PRESSURE  WAFERS  TRAPS   Annealing ambient controlled deep defect formation in InP 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2004, 卷号: 27, 期号: 1-3, 页码: 167-169 Zhao, YW; Dong, ZY; Duan, ML; Sun, WR; Zeng, YP; Sun, NF; Sun, TN 收藏  |  浏览/下载：360/63  |  提交时间：2010/03/09 FE-DOPED INP   Deep level defects in high temperature annealed InP 期刊论文 science in china series e-engineering & materials science, 2004, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 320-326 Dong ZY; Zhao YM; Zeng YP; Duan ML; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：55/15  |  提交时间：2010/03/09 InP