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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Indium composition dependence of the size uniformity of InGaAs quantum dots on (311)B GaAs grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of materials science & technology, 1999, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 523-526 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 INAS ISLANDS  MONOLAYER COVERAGE  SELF-ORGANIZATION  ROOM-TEMPERATURE  SURFACES   Self-assembled InAs and In0.9Al0.1As quantum dots on (001)InP substrates grown by molecular beam epitaxy (MBE) 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 204, 期号: 1-2, 页码: 24-28 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  In0.9Al0.1As/InAlAs/InP  molecular beam epitaxy  VISIBLE LUMINESCENCE  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP  ENSEMBLES  INP(001)  INGAAS  GAAS  RADIATIVE RECOMBINATION