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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of rapid thermal annealing on the Raman spectrum of Si0.33Ge0.67/Si (100) alloy 会议论文 9th international symposium on nondestructive characterization of materials, sydney, australia, jun 28-jul 02, 1999 Liu JP; Kong MY; Huang DD; Li JP; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 STRAIN-SHIFT COEFFICIENTS  SI1-XGEX  SILICON  PHONONS   Photoluminescence study on coarsening of self-assembled InAlAs quantum dots on GaAs (001) 会议论文 40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 bimodal distribution  photoluminescence (PL)  quantum-size effect  GE  ENSEMBLES  SI(100)  GROWTH  SHAPE