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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1998    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method 会议论文 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Ma XY; Cao Q; Wang ST; Guo L; Wang ZM; Wang LM; He GP; Yang YL; Zhang HQ; Zhou XN; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29 InGaAsP  strained layer quantum well  laser diode  MOCVD   The study of single mode 650nm AlGaInP quantum well laser diodes for DVD 会议论文 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Ma XY; Cao Q; Wang ST; Guo L; Wang LM; Yang YL; Zhang HQ; Zhang XY; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29 AlGaInP  quantum well  laser diode  MOCVD  DVD