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Wavelength stabilized multi-transverse optical mode laser diodes 专利
专利号: US8355416, 申请日期: 2013-01-15, 公开日期: 2013-01-15
作者:  SUGG, ALAN R.;  MORETTI, ANTHONY L.
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Light emitting semiconductor device and method for fabricating same 专利
专利号: US20010038103A1, 申请日期: 2001-11-08, 公开日期: 2001-11-08
作者:  NITTA, KOICHI;  OKAZAKI, HARUHIKO;  MATSUNAGA, TOKUHIKO
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Halbleiterlaser und dazugehöriges Herstellungsverfahren 专利
专利号: DE69801342D1, 申请日期: 2001-09-20, 公开日期: 2001-09-20
作者:  IKOMA NOBUYUKI
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面発光半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP2880788B2, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-04-12
作者:  上野 芳康
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
化合物半導体発光素子 专利
专利号: JP2643322B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者:  右田 雅人;  大家 彰;  椎木 正敏
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP2539416B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-10-02
作者:  岡井 誠;  魚見 和久;  辻 伸二;  茅根 直樹;  原田 和英
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP1996028554B2, 申请日期: 1996-03-21, 公开日期: 1996-03-21
作者:  生和 義人
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半導体装置 专利
专利号: JP1995118561B2, 申请日期: 1995-12-18, 公开日期: 1995-12-18
作者:  中井 建弥
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利号: JP1995036461B2, 申请日期: 1995-04-19, 公开日期: 1995-04-19
作者:  山中 憲一;  塚田 紀昭;  石井 恂
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Method of forming current barriers in semiconductor lasers 专利
专利号: US5219785, 申请日期: 1993-06-15, 公开日期: 1993-06-15
作者:  WELCH, DAVID F.;  SCIFRES, DONALD R.;  STREIFER, WILLIAM
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