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Nitride based semiconductor laser device 专利
专利号: US20090086778A1, 申请日期: 2009-04-02, 公开日期: 2009-04-02
作者:  KAMEYAMA, SHINGO;  NOMURA, YASUHIKO;  HIROYAMA, RYOJI;  HATA, MASAYUKI
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US20020146051A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10
作者:  KUNIYASU, TOSHIAKI;  FUKUNAGA, TOSHIAKI
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半導体レーザ型光増幅器 专利
专利号: JP3211838B2, 申请日期: 2001-07-19, 公开日期: 2001-09-25
作者:  橋本 順一
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Thermoelectric element and cooling or heating device provided with the same 专利
专利号: US6097088, 申请日期: 2000-08-01, 公开日期: 2000-08-01
作者:  SAKURAGI, SHIRO
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2913652B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-06-28
作者:  五明 明子
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DISPOSITIF DE COUPLAGE D'UNE SERIE DE FIBRES ET PROCEDE DE REALISATION 专利
专利号: FR2754353B1, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者:  LARAT, CHRISTIAN;  SCHWARZ, MURIEL;  CAPITANIO, BLANDINE
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DISPOSITIF DE COUPLAGE D'UNE SERIE DE FIBRES ET PROCEDE DE REALISATION 专利
专利号: FR2754353B1, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
作者:  LARAT, CHRISTIAN;  SCHWARZ, MURIEL;  CAPITANIO, BLANDINE
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発光素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2834757B2, 申请日期: 1998-10-02, 公开日期: 1998-12-14
作者:  明利 敏巳
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2821150B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-11-05
作者:  山本 三郎;  森本 泰司;  佐々木 和明;  近藤 正樹
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導波路を有する化合物半導体レーザー装置 专利
专利号: JP2781182B2, 申请日期: 1998-05-15, 公开日期: 1998-07-30
作者:  加藤 尚範;  後藤 秀樹;  下山 謙司;  長尾 哲;  井上 優一
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