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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ultra long lifetime gallium arsenide 专利 专利号: US9704706, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2017-07-11 作者:  SCHUNEMANN, PETER G.;  ZAWILSKI, KEVIN T. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 专利 专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13 作者:  KRYLIOUK, OLGA;  MELNIK, YURIY;  KOJIRI, HIDEHIRO;  ISHIKAWA, TETSUYA 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Hybrid deposition system & methods 专利 专利号: EP1374282A1, 申请日期: 2004-01-02, 公开日期: 2004-01-02 作者:  SOLOMON, GLENN, S.;  MILLER, DAVID, J. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/30 Method and apparatus for producing group-III nitrides 专利 专利号: US20010006845A1, 申请日期: 2001-07-05, 公开日期: 2001-07-05 作者:  KRYLIOUK, OLGA 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/30 Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride by the HVPE method 专利 专利号: US20030013222A1, 公开日期: 2003-01-16 作者:  TRASSOUDAINE, AGNES;  CADORET, ROBERT;  AUJOL, ERIC 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利 专利号: US20060008941A1, 公开日期: 2006-01-12 作者:  HASKELL, BENJAMIN A.;  FINI, PAUL T.;  MATSUDA, SHIGEMASA;  CRAVEN, MICHAEL D.;  DENBAARS, STEVEN P. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy 专利 专利号: WO2004061909A1, 公开日期: 2004-07-22 作者:  HASKELL, BENJAMIN, A.;  CRAVEN, MICHAEL, D.;  FINI, PAUL, T.;  DENBAARS, STEVEN, P.;  SPECK, JAMES, S. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26