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西安光学精密机械... [117]
内容类型
专利 [114]
期刊论文 [3]
发表日期
2017 [1]
2014 [1]
2006 [1]
1999 [4]
1998 [3]
1997 [1]
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专题:西安光学精密机械研究所
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Facet passivation process of high-power laser diodes by plasma cleaning and ZnO film
期刊论文
Applied Surface Science, 2022, 卷号: 596
作者:
Lan, Yu
;
Yang, Guowen
;
Zhao, Yuliang
;
Liu, Yuxian
;
Demir, Abdullah
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2022/06/08
Laser diodes
Facet passivation
High reliability
Transfer process of LT-GaAs epitaxial films for on-chip terahertz antenna integrated device
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2017, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 220-+
作者:
Guo Chun-Yan
;
Xu Jian-Xing
;
Peng Hong-Ling
;
Ni Hai-Qiao
;
Wang Tao
收藏
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浏览/下载:109/0
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提交时间:2017/06/06
on-chip THz antenna integrated device
LT-GaAs
epitaxial layer transfer
wet chemical etching
GaAs film for photon-enhanced thermionic emission solar harvesters
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2014, 卷号: 25, 页码: 143-147
作者:
Tang, Weidong
;
Yang, Wenzheng
;
Yang, Yang
;
Sun, Chuandong
;
Cai, Zhipeng
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2014/09/17
PETE
GaAs film
Thermionic emission
Electric field emission
Semiconductor laser device and method of manufacturing the same
专利
专利号: US7098063, 申请日期: 2006-08-29, 公开日期: 2006-08-29
作者:
MIYACHI, MAMORU
;
WATANABE, ATSUSHI
;
TAKAHASHI, HIROKAZU
;
KIMURA, YOSHINORI
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2020/01/13
Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials
专利
专利号: US5985687, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16
作者:
BOWERS, JOHN E.
;
SINK, R. KEHL
;
DENBAARS, STEVEN P.
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
Optical semiconductor device having a semiconductor laminate mirror
专利
专利号: US5929461, 申请日期: 1999-07-27, 公开日期: 1999-07-27
作者:
YAMAGUCHI, TAKEHARU
;
OHKUBO, MICHIO
;
NINOMIYA, TAKAO
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/24
Surface-emitting laser device
专利
专利号: US5883911, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16
作者:
LEE, BUN
;
BAEK, JONG-HYEOB
;
CHOI, SUNG-WOO
;
LEE, JIN-HONG
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/24
面発光半導体レーザ及びその製造方法
专利
专利号: JP2880788B2, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-04-12
作者:
上野 芳康
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザ
专利
专利号: JP2792177B2, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-08-27
作者:
宇野沢 浩精
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2020/01/13
化合物半導体薄膜結晶の成長方法
专利
专利号: JP2766645B2, 申请日期: 1998-04-03, 公开日期: 1998-06-18
作者:
杉山 直治
;
上條 健
;
山田 正理
;
大木 芳正
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/26
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