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科研机构
西安光学精密机械研... [22]
内容类型
专利 [22]
发表日期
2019 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [1]
1997 [1]
1993 [1]
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专题:西安光学精密机械研究所
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Laser diodes, leds, and silicon integrated sensors on patterned substrates
专利
专利号: WO2019035107A1, 申请日期: 2019-02-21, 公开日期: 2019-02-21
作者:
PIAO, JIE
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2020/01/18
Nitride semiconductor laser device
专利
专利号: US7327770, 申请日期: 2008-02-05, 公开日期: 2008-02-05
作者:
RYOWA, TATSUYA
;
ISHIDA, MASAYA
;
MORISHITA, YUKIKO
;
KAMIKAWA, TAKESHI
;
MOTOKI, KENSAKU
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
HYBRID INTEGRATION BASED ON WAFER-BONDING OF DEVICES TO AISb MONOLITHICALLY GROWN ON Si
专利
专利号: US20070275492A1, 申请日期: 2007-11-29, 公开日期: 2007-11-29
作者:
HUFFAKER, DIANA L.
;
DAWSON, LARRY R.
;
BALAKRISHNAN, GANESH
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same
专利
专利号: EP0951076B1, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2006-09-20
作者:
WANG, SHIH YUAN
;
CHEN, YONG
;
CORZINE, SCOTT W.
;
KERN, R. SCOTT
;
COMAN, CARRIE CARTER
收藏
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浏览/下载:0/0
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
作者:
深谷 一夫
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/13
HALBLEITERSTRUKTUREN.
专利
专利号: DE3785859D1, 申请日期: 1993-06-24, 公开日期: 1993-06-24
作者:
HOLONYAK NICK JR. URBANA ILLINOIS 61801 US
;
BURNHAM ROBERT D. PALO ALTO CALIFORNIA 94306 US
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
Buried type distorted superlattice semiconductor laser
专利
专利号: JP1991292789A, 申请日期: 1991-12-24, 公开日期: 1991-12-24
作者:
YAMADA HIROHITO
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser element of double hetero-junction type
专利
专利号: JP1991225984A, 申请日期: 1991-10-04, 公开日期: 1991-10-04
作者:
NITORI KOICHI
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/31
Superlattice structure semiconductor device
专利
专利号: JP1990100381A, 申请日期: 1990-04-12, 公开日期: 1990-04-12
作者:
MITSUYU TSUNEO
;
OKAWA KAZUHIRO
;
KARASAWA TAKESHI
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/18
Method for growing thin film crystal
专利
专利号: JP1989194314A, 申请日期: 1989-08-04, 公开日期: 1989-08-04
作者:
USUDA KOJI
;
YASUAMI SHIGERU
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/31
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