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| Method to fabricate GaN-based vertical-cavity surface-emitting devices featuring silicon-diffusion defined current blocking layer 专利
专利号: US20170104315A1, 申请日期: 2017-04-13, 公开日期: 2017-04-13
作者: YEH, PING-HUI; YU, MENG-CHUN; LIN, JIA-HUAN; HUANG, CHING-CHIN
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| Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity 专利
专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23
作者: SU LIN OON; HONG HUAT YEOH; SIEW IT PANG; MENG EE LEE; KIAN SHIN LEE
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| Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity 专利
专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23
作者: SU LIN OON; HONG HUAT YEOH; SIEW IT PANG; MENG EE LEE; KIAN SHIN LEE
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| 半導体レ-ザ装置の製造方法 专利
专利号: JP1995038486B2, 申请日期: 1995-04-26, 公开日期: 1995-04-26
作者: 宇野 智昭; 芹澤 晧元
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| - 专利
专利号: JP1993087998B2, 申请日期: 1993-12-20, 公开日期: 1993-12-20
作者: HAYASHI SHOJI
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| Manufacture of optoelectronic integrated circuit 专利
专利号: JP1990143562A, 申请日期: 1990-06-01, 公开日期: 1990-06-01
作者: OISHI TOSHIYUKI; ABE YUJI; SUGIMOTO HIROSHI; OTSUKA KENICHI; MATSUI TERUHITO
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| Array of semiconductor lasers which can be addressed individually 专利
专利号: JP1990039583A, 申请日期: 1990-02-08, 公开日期: 1990-02-08
作者: ROBAATO ERU SOONTON
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| Mixed crystal formation for quantum well 专利
专利号: JP1989225188A, 申请日期: 1989-09-08, 公开日期: 1989-09-08
作者: MIYAZAWA TAKEO; KAWAMURA YUICHI; MIKAMI OSAMU
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989194488A, 申请日期: 1989-08-04, 公开日期: 1989-08-04
作者: KOKUBO YOSHIHIRO
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989184896A, 申请日期: 1989-07-24, 公开日期: 1989-07-24
作者: SHIMA AKIHIRO
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