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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nonpolar a-plane GaN films grown on γ-LiAlO2 (3 0 2) substrates by low-pressure MOCVD 会议论文 the 16th International Conference on Crystal Growth in conjunction with the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Beijing;China, 2010-8 Tingting Jia; Shengming Zhou; Hao Teng; Hui Lin; Xiaorui Hou; Yukun Li; Wenjie Li; Jun Wang; Jianqi Liu; Jun Huang; Kai Huang; Min Zhang; Jianfeng Wang; Ke Xu 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2011/03/30 导模法和温度梯度法生长r面蓝宝石(英文) 期刊论文 硅酸盐学报, 2008, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 678, 682 杨新波; 李红军; 徐军; 程艳; 周国清 收藏  |  浏览/下载：1051/118  |  提交时间：2009/09/24 Dislocation density  Edge defined film fed crystal growth (EFG)  R plane sapphire  Temperature gradient technique  Transmittance   Structural and optical properties of nonpolar m-plane GaN and GaN-based LEDs on gamma-LiAlO2 期刊论文 chin. phys. lett., 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2614, 2617 Xie Zi-Li; Zhang Rong; Han Ping; 周圣明; Liu Bin; Xiu Xiang-Qian; Chen Peng; Shi Yi; Zheng You-Dou 收藏  |  浏览/下载：597/114  |  提交时间：2009/09/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  SUBSTRATE  CRYSTAL  EPITAXY  GROWTH   γ-LiAlO2上非极性宽禁带半导体薄膜制备及其光谱特性研究 学位论文 硕士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2007 作者:  周健华 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2016/11/28 GaN  ZnO  γ-LiAlO2  偏振透射谱  拉曼光谱   Nonpolar m-plane thin film GaN and InGaN/GaN light-emitting diodes on LiAlO2(100) substrates 期刊论文 appl. phys. lett., 2007, 卷号: 91, 期号: 25, 页码: 253506 Liu B.; Zhang R.; Xie Z. L.; Liu C. X.; Kong J. Y.; Yao J.; Liu Q. J.; Zhang Z.; Fu D. Y.; Xiu X. Q.; Lu H.; Chen P.; Han P.; Gu S. L.; Shi Y.; Zheng Y. D.; Zhou J.; Zhou S. M. 收藏  |  浏览/下载：853/180  |  提交时间：2009/09/24 NITRIDE