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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 LPE growth and optical characteristics of GaAs1-xSbx epilayer 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 463, 页码: 123-127 作者:  Wang Y;  Hu SH;  Zhou W;  Sun Y;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/11/20 QUANTUM-WELLS  GAASSB  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  WAVELENGTH  DEPENDENCE  LAYERS   ZnS thin films grown by atomic layer deposition on GaAs and HgCdTe substrates at very low temperature 期刊论文 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 85, 页码: 280-286 作者:  Sun CH;  Zhang P;  Zhang TN;  Chen X;  Chen YY 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/11/20 Atomic layer deposition  ZnS film  Low growth temperature   硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2014 - 收藏  |  浏览/下载：297/0  |  提交时间：2016/11/06 III-V族半导体  硅基  MOCVD  场效应晶体管  Ge表面   InAsSb长波红外薄膜材料的LPE生长及特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2012 作者:  孙常鸿 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/09/11 Inasxsb1-x  液相外延  退火  长波红外  结晶质量   Single crystalline InAsxSb1 (-) (x) films with cut-off wavelength of 7-8 mu m grown on (100) InSb substrates by liquid phase epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2012, 卷号: 535, 期号: 0 作者:  Sun, CH;  Wang, QW;  Qiu, F;  Lv, YF;  Deng, HY 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/03/18 Damage buildup and annealing characteristics in Be-implanted InAs0.93Sb0.07 film 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 285, 期号: 0 作者:  Wang, QW;  Sun, CH;  Hu, SH;  Wei, LM;  Wu, J 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/18 HgCdTe外延薄膜结构特性研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  王庆学 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/07/11 Hgcdte  X射线衍射  红外光谱  临界厚度  应变和应力分布模型