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InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器的实时γ辐照效应 期刊论文
红外与毫米波学报, 2017, 期号: 6, 页码: 688-693
作者:  靳川;  许佳佳;  黄爱波;  徐志成;  周易
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2018/11/20
基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201310591022.5, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2015
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收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2016/05/07
结合AlGaN和PVDF的新型日盲紫外探测器的研究 期刊论文
红外与激光工程, 2013, 卷号: 42, 期号: 11
作者:  刘秀娟;  李超;  王建禄;  张燕;  孙璟兰
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2014/11/05
中波红外InAsSb薄膜的LPE生长、特性研究和器件工艺探索 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  王奇伟
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2012/09/11
碲镉汞光伏探测器光电性质研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  陈勇国
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2012/09/11
黑硅的光电特性 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  程正喜
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2012/09/11
掺杂碲镉汞的光致发光光谱研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  张小华
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2012/09/11
碲镉汞电子雪崩探测器分子束外延材料基础研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  顾仁杰
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2012/09/11
一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210405474.5, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2015
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收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2016/05/07
PVDF基聚合物薄膜的铁电、介电性能研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  田莉
收藏  |  浏览/下载:58/0  |  提交时间:2012/09/11


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