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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Coherence loss and recovery of an electron spin coupled inhomogeneously to a one-dimensional interacting spin bath: An adaptive time-dependent density-matrix renormalization group study 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 5, 页码: art. no. 054433 Wang, ZH; Wang, BS; Su, ZB 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/08 WAVE-FUNCTION COLLAPSE  QUANTUM  MODEL  DECOHERENCE  REDUCTION  DYNAMICS  SILICON   Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs(001) substrate 期刊论文 semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 RELAXATION  SI  HETEROSTRUCTURES  KINETICS   Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  HYDROGEN DESORPTION  SI(100)  SI  SURFACTANT  GERMANIUM  MECHANISM  KINETICS  ALLOYS  SI2H6  GAS-SOURCE MBE   Structural study of YSi1.7 layers formed by channeled ion beam synthesis 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1998, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 1901-1906 Wu MF; Yao SD; Vantomme A; Hogg S; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 YTTRIUM-SILICIDE LAYERS  ERSI1.7 LAYERS  COSI2 LAYERS  THIN-FILMS  IMPLANTATION  SI  DIFFRACTION  STABILITY  KINETICS  SI(111)   INTERACTION OF CO WITH SI AND SIO2 DURING RAPID THERMAL ANNEALING 期刊论文 journal of applied physics, 1991, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 7612-7619 CHEN WD; CUI YD; HSU CC; TAO J 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/15 GROWTH  SILICIDES  KINETICS  CRYSTAL  SILICON  FILMS  COSI2  CO2SI  TI