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半导体研究所 [178]
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Metalorganic chemical vapor deposition growth of inas/gasb type ii superlattices with controllable asxsb1-xinterfaces
期刊论文
Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1
作者:
Li,Li-Gong
;
Liu,Shu-Man
;
Luo,Shuai
;
Yang,Tao
;
Wang,Li-Jun
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: article no.16108
Wang B
;
Li ZC
;
Yao R
;
Liang M
;
Yan FW
;
Wang GH
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浏览/下载:93/5
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提交时间:2011/07/05
GaN-based
LED
Al composition
electron blocking layer
TEMPERATURE
ALLOYS
MOVPE
Optimized growth of p-type algan electron blocking layer in the gan-based led
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 1, 页码: 6
作者:
Wang Bing
;
Li Zhi-Cong
;
Yao Ran
;
Liang Meng
;
Yan Fa-Wang
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2019/05/12
Gan-based
Led
Al composition
Electron blocking layer
Preparation and optical performance of freestanding gan thick films
期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Hu Qiang
;
Wei Tongbo
;
Duan Ruifei
;
Yang Jiankun
;
Huo Ziqiang
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Hvpe
Freestanding thick films
Stress release
Photoluminescence
Charge separation in wurtzite/zinc-blende heterojunction gan nanowires
期刊论文
Chemphyschem, 2010, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 3329-3332
作者:
Wang, Zhiguo
;
Li, Jingbo
;
Gao, Fei
;
Weber, William J.
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Ab initio
Charge separation
Heterojunctions
Nanowires
Microphotoluminescence investigation of inas quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Ding, Y.
;
Fan, W. J.
;
Ma, B. S.
;
Xu, D. W.
;
Yoon, S. F.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Evaluation of both composition and strain distributions in ingan epitaxial film using x-ray diffraction techniques
期刊论文
Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 7
作者:
Guo Xi
;
Wang Hui
;
Jiang De-Sheng
;
Wang Yu-Tian
;
Zhao De-Gang
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/05/12
Ingan
In-plane grazing incidence x-ray diffraction
Reciprocal space mapping
Biaxial strain
Defects in gallium nitride nanowires: first principles calculations
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 6
作者:
Wang, Zhiguo
;
Li, Jingbo
;
Gao, Fei
;
Weber, William J.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
High resistance algaas/gaas quantum cascade detectors grown by solid source molecular beam epitaxy operating above liquid nitrogen temperature
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 4
作者:
Liu, Junqi
;
Kong, Ning
;
Li, Lu
;
Liu, Fengqi
;
Wang, Lijun
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
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