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半导体研究所 [17]
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期刊论文 [17]
发表日期
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Nonlinear behavior of photoluminescence from silicon particles under two-photon excitation
期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 25, 页码: 3
作者:
Xu, Xingsheng
;
Yokoyama, Shiyoshi
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/05/12
Photostability of single-photon emission from a single quantum dot in the 650-nm wavelength band at room temperature
期刊论文
Applied physics b-lasers and optics, 2009, 卷号: 94, 期号: 4, 页码: 577-583
作者:
Xu, X.
;
Yamada, T.
;
Otomo, A.
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Photostability of single-photon emission from a single quantum dot in the 650-nm wavelength band at room temperature
期刊论文
applied physics b-lasers and optics, 2009, 卷号: 94, 期号: 4, 页码: 577-583
Xu X
;
Yamada T
;
Otomo A
收藏
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浏览/下载:387/72
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提交时间:2010/03/08
FLUORESCENCE
NANOCRYSTALS
GENERATION
MOLECULE
Single-photon emission at liquid nitrogen temperature from a single inas/gaas quantum dot
期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3231-3233
作者:
Dou Xiu-Ming
;
Sun Bao-Quan
;
Chang Xiu-Ying
;
Xiong Yong-Hua
;
Huang She-Song
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Single-photon emission from a single inas quantum dot
期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 501-504
作者:
Dou Xiu-Ming
;
Sun Bao-Quan
;
Huang She-Song
;
Ni Hai-Qiao
;
Niu Zhi-Chuan
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Single-photon emission from a single InAs quantum dot
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 501-504
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:39/2
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提交时间:2010/03/08
FLUORESCENCE
TEMPERATURE
Single-photon emission at liquid nitrogen temperature from a single InAs/GaAs quantum dot
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3231-3233
作者:
Chang XY
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/03/08
FLUORESCENCE
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m ingaas quantum well lasers on gaas by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 971-974
作者:
Tangring, I.
;
Wang, S. M.
;
Sadeghi, M.
;
Larsson, A.
;
Wang, X. D.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Metamorphic growth
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Laser diodes
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974
Tangring, I (Tangring, I.)
;
Wang, SM (Wang, S. M.)
;
Sadeghi, M (Sadeghi, M.)
;
Larsson, A (Larsson, A.)
;
Wang, XD (Wang, X. D.)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic growth
Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
DOT INFRARED PHOTODETECTORS
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
ROOM-TEMPERATURE
SPECTROSCOPY
PHOTOCONDUCTIVITY
HETEROSTRUCTURES
TRANSITIONS
LASERS
WELLS
INP
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