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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2008 [4]
2004 [2]
学科主题
半导体物理 [2]
光电子学 [1]
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Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunnelling diodes on quantum well widths
期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647
作者:
Zhang Yang
;
Zhang Yu
;
Zeng Yi-Ping
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提交时间:2019/05/12
Resonant tunnelling diode
Molecular beam epitaxy
Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunnelling diodes
期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474
作者:
Zhang Yang
;
Han Chun-Lin
;
Gao Jian-Feng
;
Zhu Zhan-Ping
;
Wang Bao-Qiang
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提交时间:2019/05/12
Resonant tunnelling diode
Molecular beam epitaxy
Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474
Zhang, Y
;
Han, CL
;
Gao, JF
;
Zhu, ZP
;
Wang, BQ
;
Zeng, YP
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浏览/下载:55/6
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提交时间:2010/03/08
resonant tunnelling diode
molecular beam epitaxy
Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes on quantum well widths
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647
作者:
Zhang Y
;
Zhang Y
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浏览/下载:268/32
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提交时间:2010/03/08
resonant tunnelling diode
molecular beam epitaxy
Polarization effects simulation of algan/gan heterojunction by using a symbolistic delta-doping layer
期刊论文
Solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 701-705
作者:
Li, N
;
Zhao, DG
;
Yang, H
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提交时间:2019/05/12
Algan/gan
Heterojunction
Polarization
Device simulation
Polarization effects simulation of AlGaN/GaN heterojunction by using a symbolistic delta-doping layer
期刊论文
solid state communications, 2004, 卷号: 132, 期号: 10, 页码: 701-705
Li, N
;
Zhao, DG
;
Yang, H
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提交时间:2010/03/09
AlGaN/GaN
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