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半导体研究所 [19]
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Abnormal temperature dependent photoluminescence of excited states of inas/gaas quantum dots: carrier exchange between excited states and ground states
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 11, 页码: 5
作者:
Zhou, X. L.
;
Chen, Y. H.
;
Ye, X. L.
;
Xu, Bo
;
Wang, Z. G.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Frequency drift and instantaneous linewidth broadening of phase-section tuned sg-dbr laser
期刊论文
Optics communications, 2011, 卷号: 284, 期号: 5, 页码: 1312-1317
作者:
Ke, Jian Hong
;
Zhu, Ning Hua
;
Xie, Liang
;
Zhao, Ling Juan
;
Wang, Li Xian
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Frequency drift
Instantaneous linewidth
Sampled-grating distributed bragg reflector laser
Frequency drift and instantaneous linewidth broadening of phase-section tuned SG-DBR laser
期刊论文
optics communications, 2011, 卷号: 284, 期号: 5, 页码: 1312-1317
作者:
Wang LX
;
Ke JH
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浏览/下载:60/2
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提交时间:2011/07/05
Frequency drift
Instantaneous linewidth
Sampled-grating distributed Bragg reflector laser
SEMICONDUCTOR-LASERS
WAVELENGTH
PHOTODETECTORS
PERFORMANCE
DIODES
Resonant subband landau level coupling in symmetric quantum well
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: 4
作者:
Tung, L. -C.
;
Wu, X. -G.
;
Pfeiffer, L. N.
;
West, K. W.
;
Wang, Y. -J.
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Resonant subband Landau level coupling in symmetric quantum well
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083502
Tung LC (Tung L. -C.)
;
Wu XG (Wu X. -G.)
;
Pfeiffer LN (Pfeiffer L. N.)
;
West KW (West K. W.)
;
Wang YJ (Wang Y. -J.)
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/12/05
TILTED MAGNETIC-FIELDS
ELECTRON-GAS
DEPOLARIZATION SHIFT
CYCLOTRON-RESONANCE
MATRIX-ELEMENTS
HETEROJUNCTIONS
SPECTROSCOPY
TECHNOLOGY
ABSORPTION
SYSTEMS
Effect of noncoherent islands on the optical properties of the 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots during rapid thermal annealing
会议论文
13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
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浏览/下载:82/12
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提交时间:2010/03/29
1.3 MU-M
Surface Morphology and Photoluminescence of 1.3 μm Wavelength In(Ga)As/GaAs Quantum Dots
期刊论文
Semiconductor Photonics and Technology, 2003, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 30-33
作者:
Niu Zhichuan
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/23
Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite gan epilayers
期刊论文
Applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391
作者:
Xu, SJ
;
Zheng, LX
;
Cheung, SH
;
Xie, MH
;
Tong, SY
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Comparative study on the broadening of exciton luminescence linewidth due to phonon in zinc-blende and wurtzite GaN epilayers
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 23, 页码: 4389-4391
Xu SJ
;
Zheng LX
;
Cheung SH
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
VAPOR-PHASE EPITAXY
CUBIC GAN
BINDING-ENERGY
PHOTOLUMINESCENCE
PRESSURE
ELECTRON
GAAS
ALN
A narrow photoluminescence linewidth of 19.2 mev at 1.35 mu m from in0.5ga0.5as/gaas quantum island structure grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 608-610
作者:
Wang, XD
;
Niu, ZC
;
Feng, SL
;
Miao, ZH
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提交时间:2019/05/12
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