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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Frequency mixing and phase detection functionalities of three-terminal ballistic junctions 期刊论文 Nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 19, 页码: 6 作者:  Sun, Jie;  Wallin, Daniel;  Brusheim, Patrik;  Maximov, Ivan;  Wang, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Frequency mixing and phase detection functionalities of three-terminal ballistic junctions 期刊论文 nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 19, 页码: art.no.195205 Sun J (Sun Jie); Wallin D (Wallin Daniel); Brusheim P (Brusheim Patrik); Maximov I (Maximov Ivan); Wang ZG; Xu HQ 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/03/29 CARBON NANOTUBE TRANSISTORS   Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating LECGaAs 期刊论文 rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191 Yang RX; Zhang FQ; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：90/3  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating GaAs  intrinsic acceptor defects  As interstitial indiffusion  As pressure  annealing  SEMIINSULATING GAAS   ELECTRON-STATES OF A STACKING-FAULT RIBBON IN SILICON 期刊论文 solid state communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 987-989 LEHTO N; MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/15 DISLOCATIONS  GERMANIUM  DISSOCIATION  ENERGY