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半导体研究所 [55]
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期刊论文 [44]
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2011 [6]
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专题:半导体研究所
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The effect of composite GaN/InGaN last barrier layer on electron leakage current and modal gain of InGaN-based multiple quantum well laser diodes
期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2015, 卷号: 212, 期号: 12, 页码: 2936–2943
P. Chen
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
J.J. Zhu
;
Z.S. Liu
;
L.C. Le
;
J. Yang
;
X. Li
;
L. Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
S.M. Zhang
;
H. Yang
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/03/22
A high-performance quantum dot superluminescent diode with a two-section structure
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 1-5
作者:
Li, Xinkun
;
Jin, Peng
;
An, Qi
;
Wang, Zuocai
;
Lv, Xueqin
收藏
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浏览/下载:94/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum dot
Superluminescent diode
Two-section structure
Optical amplification
Theoretical investigation of a surface-emitting superluminescent diode with a circular grating
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 6
作者:
An, Qi
;
Lin, Jiandong
;
Jin, Peng
;
Wang, Zhanguo
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Highly efficient 1.53 mu m luminescence in erxyb2-xsi2o7 thin films grown on si substrate
期刊论文
Materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 860-862
作者:
Zheng, Jun
;
Tao, Yeliao
;
Wang, Wei
;
Zhang, Lingzi
;
Zuo, Yuhua
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Luminescence
Optical materials and properties
Sputtering
Thin films
Highly efficient 1.53 mu m luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate
期刊论文
materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 860-862
Zheng J
;
Tao YL
;
Wang W
;
Zhang LZ
;
Zuo YH
;
Xue CL
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:65/3
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提交时间:2011/07/05
Luminescence
Optical materials and properties
Sputtering
Thin films
PHOTOLUMINESCENCE
ER3+
The effects of substrate temperature on the properties of diphasic nanocrystalline silicon thin films
期刊论文
optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2011, 卷号: 5, 期号: 40545, 页码: 112-115
Hao HY
;
Xing J
;
Li WM
;
Zeng XB
;
Kong GL
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:81/3
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提交时间:2011/07/06
Nanocrystalline silicon thin films
Structure
Photoelectrical properties
Stability
MICROCRYSTALLINE SILICON
TRANSITION FILMS
SOLAR-CELLS
HYDROGEN
The effects of substrate temperature on the properties of diphasic nanocrystalline silicon thin films
期刊论文
Optoelectronics and advanced materials-rapid communications, 2011, 卷号: 5, 期号: 1-2, 页码: 112-115
作者:
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Nanocrystalline silicon thin films
Structure
Photoelectrical properties
Stability
Delay of the excited state lasing of 1310 nm inas/gaas quantum dot lasers by facet coating
期刊论文
Applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: 3
作者:
Cao, Yu-Lian
;
Yang, Tao
;
Xu, Peng-Fei
;
Ji, Hai-Ming
;
Gu, Yong-Xian
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Excited states
Gallium arsenide
Iii-v semiconductors
Indium compounds
Laser tuning
Optical films
Quantum dot lasers
Silicon compounds
Tantalum compounds
Delay of the excited state lasing of 1310 nm InAs/GaAs quantum dot lasers by facet coating
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 17, 页码: art. no. 171101
Cao YL (Cao Yu-Lian)
;
Yang T (Yang Tao)
;
Xu PF (Xu Peng-Fei)
;
Ji HM (Ji Hai-Ming)
;
Gu YX (Gu Yong-Xian)
;
Wang XD (Wang Xiao-Dong)
;
Wang Q (Wang Qing)
;
Ma WQ (Ma Wen-Quan)
;
Chen LH (Chen Liang-Hui)
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浏览/下载:221/51
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提交时间:2010/05/24
excited states
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser tuning
optical films
quantum dot lasers
silicon compounds
tantalum compounds
TEMPERATURE-DEPENDENCE
THRESHOLD
PERFORMANCE
GAIN
Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108
Zhu YH (Zhu Yuan-Hui)
;
Xu Q (Xu Qiang)
;
Fan WJ (Fan Wei-Jun)
;
Wang JW (Wang Jian-Wei)
收藏
  |  
浏览/下载:67/3
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提交时间:2010/05/07
ALLOYS
GE
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