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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Raman scattering detection of stacking faults in free-standing cubic-SiC epilayer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 2834-2837 Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/04/11 SPECTROSCOPY  GROWTH  POLYTYPES  SILICON   Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 defects  lateral composition modulation  photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wires  semiconductor III-V material  DOTS  HETEROSTRUCTURES  INALAS/INP(001)  SPECTROSCOPY  WAVELENGTH  INP(001)   Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841 Qu BZ; Zhu QS; Sun XH; Wan SK; Wang ZG; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：292/4  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  GALLIUM NITRIDE  FILMS  DEFECTS  LUMINESCENCE  COMPENSATION  SPECTROSCOPY  ACCEPTORS   Effect of arsenic precipitates on Fermi level in GaAs grown by molecular-beam epitaxy at low temperature 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 6, 页码: 2923-2925 Chen YH; Wang ZG; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  200-DEGREES-C  ABSORPTION  DEFECTS   Temperature dependence of the Fermi level in low-temperature-grown GaAs 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 15, 页码: 1866-1868 Chen YH; Yang Z; Wang ZG; Li RG 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 BEAM-EPITAXIAL GAAS  HOPPING CONDUCTION  200-DEGREES-C  SPECTROSCOPY  DEFECTS