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Bias Dependence of the Electrical Spin Injection into GaAs from Co-Fe-B=MgO Injectors with Different MgO Growth Processes 期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2017, 卷号: 8, 页码: 054027
作者:  P. Barate;  S. H. Liang;  T. T. Zhang;  J. Frougier;  B. Xu
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/05/30
Bias current dependence of the spin lifetime in insulating Al0.3Ga0.7A 期刊论文
applied physics letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 8, 页码: 082405
Misuraca, J; Kim, JI; Lu, J; Meng, KK; Chen, L; Yu, XZ; Zhao, JH; Xiong, P; von Molnar, S
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/03/19
The transport mechanism of gate leakage current in algan/gan high electron mobility transistors 期刊论文
European physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 5
作者:  Lin, D. F.;  Wang, X. L.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Jiang, L. J.
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12
Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a mn-doped gaas base 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: 5
作者:  Shen, C.;  Wang, L. G.;  Zheng, H. Z.;  Zhu, H.;  Chen, L.
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ; Lin ZJ; Corrigan TD; Zhao JZ; Cao ZF; Meng LG; Luan CB; Wang ZG; Chen H
收藏  |  浏览/下载：65/6  |  提交时间：2011/07/05
Positively charged manganese acceptor disclosed by photoluminescence spectra in an n-i-p-i-n heterostructure with a Mn-doped GaAs base 期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.93507
作者:  Wang LG;  Chen L;  Zhu H
收藏  |  浏览/下载：43/5  |  提交时间：2011/07/05
Electroluminescence from ge on si substrate at room temperature 期刊论文
Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: 3
作者:  Hu, Weixuan;  Cheng, Buwen;  Xue, Chunlai;  Xue, Haiyun;  Su, Shaojian
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12
Electroluminescence from Ge on Si substrate at room temperature 期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: art. no. 092102
作者:  Su SJ;  Xue CL
收藏  |  浏览/下载：52/1  |  提交时间：2010/03/08
Subtraction of scattering parameters for adiabatic intrinsic responses of semiconductor lasers 期刊论文
Microwave and optical technology letters, 2008, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 992-995
作者:  Zhang, S. J.;  Zhu, N. H.;  Liu, Y.;  Liu, Y. Z.
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12
Hydrogen sensors based on algan/ain/gan hemt 期刊论文
Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 20-23
作者:  Wang, X. H.;  Wang, X. L.;  Feng, C.;  Yang, C. B.;  Wang, B. Z.
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