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Intrinsic evolutions of optical functions, band gap, and higher-energy electronic transitions in vo2 film near the metal-insulator transition region 期刊论文
Applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 24, 页码: 3
作者:  Li, W. W.;  Yu, Q.;  Liang, J. R.;  Jiang, K.;  Hu, Z. G.
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Thermal diffusion of nitrogen into zno film deposited on inn/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 4
作者:  Shi, K.;  Zhang, P. F.;  Wei, H. Y.;  Jiao, C. M.;  Jin, P.
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Characteristics of undoped and sb-doped zno thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition 期刊论文
Physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850
作者:  Zhu, B. L.;  Zhu, S. J.;  Zhao, X. Z.;  Su, F. H.;  Li, G. H.
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Bimetallic chips for a surface plasmon resonance instrument 期刊论文
Applied optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 387-391
作者:  Chen, Y.;  Zheng, R. S.;  Zhang, D. G.;  Lu, Y. H.;  Wang, P.
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Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:  Wang C
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Gan grown with ingan as a weakly bonded layer 期刊论文
Crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585
作者:  Xu, Xiaoqing;  Guo, Yan;  Liu, Xianglin;  Liu, Jianming;  Song, Huaping
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Fabrication of ferromagnetic GaMnSb by thermal diffusion of evaporated Mn 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 316, 期号: 1, 页码: 145-148
Yang GD; Zhu F; Dong S
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Relationship between the growth rate and Al incorporation of AlGaN by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
journal of alloys and compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 3, 页码: 748-750
作者:  Yang H;  Jiang DS;  Le LC;  Zhang SM;  Wu LL
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Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP
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Bimetallic chips for a surface plasmon resonance instrument 期刊论文
applied optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 387-391
Chen Y; Zheng RS; Zhang DG; Lu YH; Wang P; Ming H; Luo ZF; Kan Q
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