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半导体研究所 [75]
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期刊论文 [66]
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Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
收藏
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浏览/下载:54/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates
期刊论文
journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:
Pan X
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/09/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
ALN INTERLAYERS
FILMS
STRESS
LAYERS
DISLOCATIONS
REDUCTION
DENSITY
DIODES
Effect of AlN buffer thickness on GaN epilayer grown on Si(1 1 1)
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
Wei, M
;
Wang, XL
;
Pan, X
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hou, QF
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2012/01/06
GaN
MOCVD
Si(111)
AlN
VAPOR-PHASE EPITAXY
LAYERS
SUBSTRATE
MOCVD
STRESS
Blue-shift photoluminescence from porous inalas
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Jiang, Y. C.
;
Liu, F. Q.
;
Wang, L. J.
;
Yin, W.
;
Wang, Z. G.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Multi-wafer 3c-sic heteroepitaxial growth on si(100) substrates
期刊论文
Chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 5
作者:
Sun Guo-Sheng
;
Liu Xing-Fang
;
Wang Lei
;
Zhao Wan-Shun
;
Yang Ting
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
3c-sic
Heteroepitaxial
Multi-wafer
Uniformity
Surface roughness scattering in two dimensional electron gas channel
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262111
Liu B
;
Lu YW
;
Jin GR
;
Zhao Y
;
Wang XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:50/5
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MOBILITY ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
PERFORMANCE
ALN
MODFETS
INN
Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
SURFACES
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
MIGRATION
ARRAYS
Multi-wafer 3C-SiC heteroepitaxial growth on Si(100) substrates
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: art. no. 088101
Sun GS (Sun Guo-Sheng)
;
Liu XF (Liu Xing-Fang)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wan-Shun)
;
Yang T (Yang Ting)
;
Wu HL (Wu Hai-Lei)
;
Yan GG (Yan Guo-Guo)
;
Zhao YM (Zhao Yong-Mei)
;
Ning J (Ning Jin)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
收藏
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浏览/下载:172/19
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提交时间:2010/09/07
3C-SiC
heteroepitaxial
multi-wafer
uniformity
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:128/4
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提交时间:2010/04/13
GaN
Si (111) substrate
metalorganic chemical vapour deposition
AlN buffer layer
AlGaN interlayer
: VAPOR-PHASE EPITAXY
CRACK-FREE GAN
STRESS-CONTROL
SI(111)
DEPOSITION
ALXGA1-XN
FILM
Blue-shift photoluminescence from porous InAlAs
期刊论文
semiconductor science and technology, 2010, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: art. no. 115006
Jiang YC (Jiang Y. C.)
;
Liu FQ (Liu F. Q.)
;
Wang LJ (Wang L. J.)
;
Yin W (Yin W.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/12/28
MACROPOROUS SILICON
PORE FORMATION
GAP
INP
AL0.48IN0.52AS
NANOSTRUCTURES
MORPHOLOGY
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