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半导体研究所 [117]
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专题:半导体研究所
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Significantly improved surface morphology of N-polar GaN film grown on SiC substrate by the optimization of V/III ratio
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018, 卷号: 112, 期号: 15, 页码: 151607
作者:
Gaoqiang Deng
;
Yuantao Zhang
;
Ye Yu
;
Long Yan
;
Pengchong Li
;
Xu Han
;
Liang Chen
;
Degang Zhao
;
Guotong Du
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/19
Metalorganic chemical vapor deposition growth of inas/gasb type ii superlattices with controllable asxsb1-xinterfaces
期刊论文
Nanoscale research letters, 2012, 卷号: 7, 期号: 1
作者:
Li,Li-Gong
;
Liu,Shu-Man
;
Luo,Shuai
;
Yang,Tao
;
Wang,Li-Jun
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Surface characterization of algan grown on si (111) substrates
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:
Pan, Xu
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Feng, Chun
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Island nucleation
Raman scattering
Si (111) substrate
Algan epilayers
Effect of growth temperature on the morphology and phonon properties of inas nanowires on si substrates
期刊论文
Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 7
作者:
Li, Tianfeng
;
Chen, Yonghai
;
Lei, Wen
;
Zhou, Xiaolong
;
Luo, Shuai
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Investigation of a gan nucleation layer on a patterned sapphire substrate
期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 4
作者:
Wu Meng
;
Zeng Yi-Ping
;
Wang Jun-Xi
;
Hu Qiang
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar znmgo by mocvd
期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Shi, K.
;
Yang, A. L.
;
Wang, J.
;
Song, H. P.
;
Xu, X. Q.
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting ii-vi materials
Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6
作者:
He Ji-Fang
;
Niu Zhi-Chuan
;
Chang Xiu-Ying
;
Ni Hai-Qiao
;
Zhu Yan
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Anti-phase domain
Gaas/ge interface
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:106/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique
期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen
;
He, Jing-Kai
;
Li, Cheng
;
Yu, Jin-Zhong
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2012/06/13
Atomic force microscopy
Atomic spectroscopy
Chemical vapor deposition
Diffraction
Epitaxial growth
Germanium
Raman spectroscopy
Semiconducting silicon compounds
Substrates
Surface morphology
Ultrahigh vacuum
X ray diffraction
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
收藏
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浏览/下载:58/3
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提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
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