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半导体研究所 [45]
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期刊论文 [42]
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2012 [2]
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专题:半导体研究所
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Enhanced field-free current-induced magnetization switching by interlayer exchange coupling with insulating spacer layer
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 127, 期号: 11, 页码: 113902
作者:
Zelalem Abebe Bekele
;
Xiukai Lan
;
Kangkang Meng
;
Xionghua Liu
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2021/11/30
From two- to multi-state vertical spin valves without spacer layer based on Fe3GeTe2 van der Waals homo-junctions
期刊论文
SCIENCE BULLETIN, 2020, 卷号: 65, 期号: 13, 页码: 1072-1077
作者:
Ce Hu
;
Dong Zhang
;
Faguang Yan
;
Yucai Li
;
Quanshan Lv
;
Wenkai Zhu
;
Zhongming Wei
;
Kai Chang
;
Kaiyou Wang
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2021/06/28
Spacer layer thickness fluctuation scattering in a modulation-doped Al xGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs quantum well
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 107305
Gu, Cheng-Yan
;
Liu, Gui-Peng
;
Shi, Kai
;
Song, Ya-Feng
;
Li, Cheng-Ming
;
Liu, Xiang-Lin
;
Yang, Shao-Yan
;
Zhu, Qin-Sheng
;
Wang, Zhan-Guo
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2013/04/19
Spacer layer thickness fluctuation scattering in a modulation-doped AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs quantum well
期刊论文
chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 107305
Gu CY (Gu Cheng-Yan)
;
Liu GP (Liu Gui-Peng)
;
Shi K (Shi Kai)
;
Song YF (Song Ya-Feng)
;
Li CM (Li Cheng-Ming)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2013/03/26
Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in algaas/gaas modulation-doped heterostructures
期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 5
作者:
Liu, Guipeng
;
Wu, Ju
;
Lu, Yanwu
;
Li, Zhiwei
;
Song, Yafeng
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705
Liu GP
;
Wu J
;
Lu YW
;
Li ZW
;
Song YF
;
Li CM
;
Yang SY
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/02/06
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
INTERFACE ROUGHNESS
QUANTUM-WELLS
MOBILITY
HETEROJUNCTION
TRANSPORT
MODEL
Self-consistent analysis of alsb/inas high electron mobility transistor structures
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7
作者:
Li, Yanbo
;
Zhang, Yang
;
Zeng, Yiping
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504
Li YB (Li Yanbo)
;
Zhang Y (Zhang Yang)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
收藏
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浏览/下载:212/46
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提交时间:2010/10/11
INAS/ALSB QUANTUM-WELLS
LOW-POWER APPLICATIONS
HEMTS
MODULATION
HETEROSTRUCTURES
TECHNOLOGY
CHANNEL
VOLTAGE
MASS
Optimizing the gaas capping layer growth of 1.3 mu m inas/gaas quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures
期刊论文
Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472
作者:
Yang, Tao
;
Nishioka, Masao
;
Arakawa, Yasuhiko
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Metalorganic chemical vapor deposition
Quantum dots
Inas
Gaas
Laser diodes
Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunnelling diodes
期刊论文
Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474
作者:
Zhang Yang
;
Han Chun-Lin
;
Gao Jian-Feng
;
Zhu Zhan-Ping
;
Wang Bao-Qiang
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Resonant tunnelling diode
Molecular beam epitaxy
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