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半导体研究所 [21]
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期刊论文 [20]
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专题:半导体研究所
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Study on optical properties of type-ii sno2/zns core/shell nanowires
期刊论文
Journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 15, 页码: 7225-7229
作者:
Meng, Xiuqing
;
Wu, Fengmin
;
Li, Jingbo
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Synthesis and characterization of zno columns grown on mgo-coated silicon substrates by carbon-thermal evaporation
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2011, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 117-123
作者:
Li, Junlin
;
Zhuang, Huizhao
;
Wang, Jie
;
Xu, Peng
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Zinc oxide
Column
Carbon-thermal evaporation
Optical properties
Scattering due to spacer layer thickness fluctuation on two dimensional electron gas in AlGaAs/GaAs modulation-doped heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 2, 页码: 23705
Liu GP
;
Wu J
;
Lu YW
;
Li ZW
;
Song YF
;
Li CM
;
Yang SY
;
Liu XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/02/06
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
INTERFACE ROUGHNESS
QUANTUM-WELLS
MOBILITY
HETEROJUNCTION
TRANSPORT
MODEL
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
收藏
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Study on Optical Properties of Type-II SnO2/ZnS Core/Shell Nanowires
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2011, 卷号: 115, 期号: 15, 页码: 7225-7229
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:37/2
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提交时间:2011/07/05
COLLOIDAL NANOCRYSTAL HETEROSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES
LATTICE DYNAMICS
TIN OXIDE
FILMS
NANOSTRUCTURES
SPECTRA
EXCITON
ARRAYS
RUTILE
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:57/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi Y
;
Lin DF
;
Peng EC
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/09/14
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
HETEROJUNCTION FETS
HETEROSTRUCTURES
PASSIVATION
CONFINEMENT
PERFORMANCE
BARRIERS
Determination of mgo/aln heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: 3
作者:
Yang, A. L.
;
Song, H. P.
;
Liu, X. L.
;
Wei, H. Y.
;
Guo, Y.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Aluminium compounds
Conduction bands
Energy gap
High electron mobility transistors
Iii-v semiconductors
Magnesium compounds
Passivation
Semiconductor heterojunctions
Valence bands
Wide band gap semiconductors
X-ray photoelectron spectra
Ordered Zinc Antimonate Nanoisland Attachment and Morphology Control of ZnO Nanobelts by Sb Doping
期刊论文
journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 22, 页码: 9638-9643
Cheng BC
;
Tian BX
;
Sun W
;
Xiao YH
;
Lei SJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:92/0
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提交时间:2010/03/08
DOPED ZNO
QUANTUM DOTS
PHOTOLUMINESCENCE
GROWTH
OXIDES
NANOSTRUCTURES
SEMICONDUCTORS
RECOMBINATION
NANOPARTICLES
NANOCRYSTALS
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
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