QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Atomic configurations of dislocation core and twin boundaries in 3C-SiC studied by high-resolution electron microscopy 期刊论文 physical review b, 2007, 卷号: 75, 期号: 18, 页码: art.no.184103 Tang CY; Li FH; Wang R; Zou J; Zheng XH; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/29 IMAGE DECONVOLUTION   Comprehensive analysis of microtwins in the 3c-sic films on si(001) substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 作者:  Zheng, XH;  Qu, B;  Wang, YT;  Dai, ZZ;  Han, JY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Chemical vapor deposition processes  Silicon carbide   Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：98/10  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  chemical vapor deposition processes  silicon carbide  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GROWTH  GAN  SI  DEFECTS  EPITAXY  LAYERS  MBE