×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [61]
内容类型
期刊论文 [56]
会议论文 [5]
发表日期
2011 [2]
2010 [2]
2009 [2]
2008 [6]
2007 [3]
2006 [4]
更多...
学科主题
半导体物理 [20]
半导体材料 [15]
半导体器件 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共61条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Intercalation of few-layer graphite flakes with fecl3: raman determination of fermi level, layer by layer decoupling, and stability
期刊论文
Journal of the american chemical society, 2011, 卷号: 133, 期号: 15, 页码: 5941-5946
作者:
Zhao, Weijie
;
Tan, Ping Heng
;
Liu, Jian
;
Ferrari, Andrea C.
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Intercalation of Few-Layer Graphite Flakes with FeCl3: Raman Determination of Fermi Level, Layer by Layer Decoupling, and Stability
期刊论文
journal of the american chemical society, 2011, 卷号: 133, 期号: 15, 页码: 5941-5946
作者:
Liu J
;
Tan PH
收藏
  |  
浏览/下载:90/4
  |  
提交时间:2011/07/05
FERRIC-CHLORIDE
CHARGE-TRANSFER
SINGLE-LAYER
GRAPHENE
SPECTROSCOPY
SCATTERING
SPECTRA
Donor-donor binding in in2o3: engineering shallow donor levels
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: 5
作者:
Tang, Li-Ming
;
Wang, Ling-Ling
;
Wang, Dan
;
Liu, Jian-Zhe
;
Chen, Ke-Qiu
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704
Tang LM (Tang Li-Ming)
;
Wang LL (Wang Ling-Ling)
;
Wang D (Wang Dan)
;
Liu JZ (Liu Jian-Zhe)
;
Chen KQ (Chen Ke-Qiu)
收藏
  |  
浏览/下载:67/0
  |  
提交时间:2010/05/24
AUGMENTED-WAVE METHOD
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
FILMS
ZNSE
ZNTE
Deep levels in high resistivity gan detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: 4
作者:
Gai, Yanqin
;
Li, Jingbo
;
Hou, Qifeng
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403
作者:
Li JB
;
Hou QF
收藏
  |  
浏览/下载:66/11
  |  
提交时间:2010/03/08
N-TYPE GAN
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEFECTS
THERMOLUMINESCENCE
CARBON
TRAP
Band-gap bowing and p-type doping of (zn, mg, be)o wide-gap semiconductor alloys: a first-principles study
期刊论文
European physical journal b, 2008, 卷号: 66, 期号: 4, 页码: 439-444
作者:
Shi, H. -L.
;
Duan, Y.
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2019/05/12
First-principles study of transition metal impurities in si
期刊论文
Physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 15, 页码: 8
作者:
Zhang, Z. Z.
;
Partoens, B.
;
Chang, Kai
;
Peeters, F. M.
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Origin of the doping bottleneck in semiconductor quantum dots: a first-principles study
期刊论文
Physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Li, Jingbo
;
Wei, Su-Huai
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Origin of the doping bottleneck in semiconductor quantum dots: A first-principles study
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 77, 期号: 11, 页码: art. no. 113304
Li, JB
;
Wei, SH
;
Li, SS
;
Xia, JB
收藏
  |  
浏览/下载:54/6
  |  
提交时间:2010/03/08
ZNSE NANOCRYSTAL EMITTERS
CDSE NANOCRYSTALS
EFFICIENT
CHEMISTRY
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace