QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate 期刊论文 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6 作者:  He Ji-Fang;  Niu Zhi-Chuan;  Chang Xiu-Ying;  Ni Hai-Qiao;  Zhu Yan 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Anti-phase domain  Gaas/ge interface   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：106/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE   Controlled growth of iii-v compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 期刊论文 Pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, pts 1-5, 2005, 卷号: 475-479, 页码: 1783-1786 作者:  Xu, B;  Wang, ZG;  Chen, YH;  Jin, R;  Ye, XL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dot  Quantum-dot laser  Self-assembled   Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 期刊论文 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1783-1786 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/03/17 quantum dot   Controlled growth of III-V compound semiconductor nano-structures and their application in quantum-devices 会议论文 13th international conference on semiconducting and insulating materials (simc xiii), beijing, peoples r china, sep 20-25, 2004 作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：92/22  |  提交时间：2010/03/29 DOTS   New progress of studies on semiconductor materials 期刊论文 Rare metal materials and engineering, 2000, 卷号: 29, 页码: 17-21 作者:  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductor material  Progress  Prospect   New progress of studies on semiconductor materials 期刊论文 rare metal materials and engineering, 2000, 卷号: 29, 期号: 0, 页码: 17-21 Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 semiconductor material  progress  prospect   Asymmetry in the vertically aligned growth induced InAs islands in GaAs 期刊论文 chinese physics letters, 1998, 卷号: 15, 期号: 7, 页码: 519-521 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  GAAS(100)  PHOTOLUMINESCENCE  STAGE