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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of hydrogen plasma treatment on the electrical and optical properties of zno films: identification of hydrogen donors in zno 期刊论文 Acs applied materials & interfaces, 2010, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 1780-1784 作者:  Dong, J. J.;  Zhang, X. W.;  You, J. B.;  Cai, P. F.;  Yin, Z. G. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Hydrogen plasma treatment  Zinc oxide  Raman spectroscopy  Photoluminescence   Effects of Hydrogen Plasma Treatment on the Electrical and Optical Properties of ZnO Films: Identification of Hydrogen Donors in ZnO 期刊论文 acs applied materials & interfaces, 2010, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 1780-1784 Dong JJ (Dong J. J.); Zhang XW (Zhang X. W.); You JB (You J. B.); Cai PF (Cai P. F.); Yin ZG (Yin Z. G.); An Q (An Q.); Ma XB (Ma X. B.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.); Chu PK (Chu Paul K.) 收藏  |  浏览/下载：151/22  |  提交时间：2010/07/05 hydrogen plasma treatment  zinc oxide  Raman spectroscopy  photoluminescence  RAMAN-SCATTERING  IMPLANTED ZNO  THIN-FILMS  DENSITY   Dynamics of formation of defects in annealed InP 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/10/29 defects formation  hydrogen related defects  semi-insulating  InP   Formation mechanism of defects in annealed InP 会议论文 spie conference on optoelectronic materials and devices, taipei, taiwan, jul 09-11, 1998 Han YJ; Liu XL; Jiao JH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/10/29 defects formation  hydrogen related defects  semi-insulating  InP