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High quality GaN epitaxial growth on β -Ga 2 O 3 substrate enabled by self- assembled SiO 2 nanospheres 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 525, 页码: 125211
作者:  Xiang Zhang ;   Tongbo Wei ;   Kuankuan Ren ;  Zhuo Xiong ;   Weijiang Li ;   Chao Yang ;   Liang Zhang ;   Junxi Wang
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/08/05
Hydride vapor phase epitaxy of high quality {10over-barover-bar} semipolar GaN on m-plane sapphire coated with self-assembled SiO2 nanospheres 期刊论文
journal of crystal growth, 2014, 卷号: 387, 页码: 101-105
Yang, JK; Wei, TB; Huo, ZQ; Hu, Q; Zhang, YH; Duan, RF; Wang, JX
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/03/20
Growth of high quality GaN nanowires by using Ga/GaCl3 sources 期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2014, 卷号: 57, 页码: 145-148
Ren, MK; Huang, H; Wu, HB; Zhao, DN; Zhu, HC; Liu, Y; Sun, BJ
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/03/19
Effect of light Si-doping on the near-band-edge emissions in high quality GaN 期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 5, 页码: 053104
Le LC (Le, L. C.); Zhao DG (Zhao, D. G.); Jiang DS (Jiang, D. S.); Wu LL (Wu, L. L.); Li L (Li, L.); Chen P (Chen, P.); Liu ZS (Liu, Z. S.); Zhu JJ (Zhu, J. J.); Wang H (Wang, H.); Zhang SM (Zhang, S. M.); Yang H (Yang, H.)
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/04/02
Controllable growth of highly ordered zno nanorod arrays via inverted self-assembled monolayer template 期刊论文
Acs applied materials & interfaces, 2011, 卷号: 3, 期号: 11, 页码: 4388-4395
作者:  Dong, J. J.;  Zhang, X. W.;  Yin, Z. G.;  Zhang, S. G.;  Wang, J. X.
收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2019/05/12
Structures and optical characteristics of ingan quantum dots grown by mbe 期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2011, 卷号: 40, 期号: 11, 页码: 2030-2032
作者:  Wang Baozhu;  Yan Cuiying;  Wang Xiaoliang
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Electrical and magnetic properties of ga1-xgdxn grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 8, 页码: 5
作者:  Gupta, Shalini;  Zaidi, Tahir;  Melton, Andrew;  Malguth, Enno;  Yu, Hongbo
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12
Surface characterization of algan grown on si (111) substrates 期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32
作者:  Pan, Xu;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei;  Feng, Chun
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12
Resonant-cavity blue light-emitting diodes fabricated by two-step substrate transfer technique 期刊论文
Electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 17, 页码: 986-u69
作者:  Hu, X. -L.;  Zhang, J. -Y.;  Liu, W. -J.;  Chen, M.;  Zhang, B. -P.
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Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文
Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12

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