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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Identification of vacancies in electron irradiated gasb by coincidence doppler broadening spectroscopy 期刊论文 Materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 4-5, 页码: 1187-1189 作者:  Shao, Y. D.;  Wang, Z.;  Dai, Y. Q.;  Zhao, Y. W.;  Tang, F. Y. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Gasb  Coincidence doppler broadening  Electron irradiation  Defect   Identification of vacancies in electron irradiated GaSb by coincidence Doppler broadening spectroscopy 期刊论文 materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 4-5, 页码: 1187-1189 Shao, YD (Shao, Y. D.); Wang, Z (Wang, Z.); Dai, YQ (Dai, Y. Q.); Zhao, YW (Zhao, Y. W.); Tang, FY (Tang, F. Y.) 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/03/29 GaSb