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Thermal diffusion of nitrogen into zno film deposited on inn/sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 11, 页码: 4
作者:  Shi, K.;  Zhang, P. F.;  Wei, H. Y.;  Jiao, C. M.;  Jin, P.
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Stable organic solar cells employing moo3-doped copper phthalocyanine as buffer layer 期刊论文
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 22, 页码: 9382-9385
作者:  Cao, Guohua;  Li, Linsen;  Guan, Min;  Zhao, Jie;  Li, Yiyang
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Effect of high temperature algan buffer thickness on gan epilayer grown on si(111) substrates 期刊论文
Journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032
作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei
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Effect of aln buffer thickness on gan epilayer grown on si(1 1 1) 期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 97-100
作者:  Wei, Meng;  Wang, Xiaoliang;  Pan, Xu;  Xiao, Hongling;  Wang, CuiMei
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Gan  Mocvd  Si(111)  Aln  
Growth of 2 mu m crack-free gan on si(111) substrates by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
Chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 4
作者:  Wei Meng;  Wang Xiao-Liang;  Xiao Hong-Ling;  Wang Cui-Mei;  Pan Xu
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Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers 期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:  Zhang, Biao;  Song, Huaping;  Wang, Jun;  Jia, Caihong;  Liu, Jianming
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Growth of gan film on si (111) substrate using aln sandwich structure as buffer 期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:  Pan, Xu;  Wei, Meng;  Yang, Cuibai;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimei
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Bimetallic chips for a surface plasmon resonance instrument 期刊论文
Applied optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 387-391
作者:  Chen, Y.;  Zheng, R. S.;  Zhang, D. G.;  Lu, Y. H.;  Wang, P.
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Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:  Wang C
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Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method 期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:  Song HP;  Wei HY;  Li CM;  Jiao CM
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