QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate 期刊论文 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6 作者:  He Ji-Fang;  Niu Zhi-Chuan;  Chang Xiu-Ying;  Ni Hai-Qiao;  Zhu Yan 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Anti-phase domain  Gaas/ge interface   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102 作者:  Li MF 收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE   Characterization of free-standing gan substrate grown through hydride vapor phase epitaxy with a tin interlayer 期刊论文 Applied surface science, 2007, 卷号: 253, 期号: 18, 页码: 7423-7428 作者:  Wei, T. B.;  Duan, R. F.;  Wang, J. X.;  Li, J. M.;  Huo, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Hvpe  Cathodoluminescence  Micro-raman scattering   Lateral phase separation in algan grown on gan with a high-temperature ain interlayer 期刊论文 Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: 3 作者:  Sun, Q;  Huang, Y;  Wang, H;  Chen, J;  Jin, RQ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Lateral phase separation in AlGaN grown on GaN with a high-temperature AIN interlayer 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 12, 页码: art.no.121914 作者:  Yang H;  Yang H;  Wang H;  Jiang DS;  Zhang SM 收藏  |  浏览/下载：106/19  |  提交时间：2010/03/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION