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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2006 [4]
2005 [2]
2003 [3]
2001 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
半导体材料 [2]
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Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in gainnas/gaas quantum wells
期刊论文
Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569
作者:
Sun Zheng
;
Wang Bao-Rui
;
Xu Zhong-Ying
;
Sun Bao-Quan
;
Ji Yang
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled inas/gaas quantum dots
期刊论文
Thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192
作者:
Kong, LM
;
Cai, JF
;
Wu, ZY
;
Gong, Z
;
Niu, ZC
收藏
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Time-resolved photoluminescence
Inas self-assembled qds
Migration of carriers
Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192
Kong LM
;
Cai JF
;
Wu ZY
;
Gong Z
;
Niu ZC
;
Feng ZC
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/04/11
time-resolved photoluminescence
InAs self-assembled QDs
migration of carriers
1.3 MU-M
DEPENDENT RADIATIVE DECAY
THERMAL REDISTRIBUTION
EXCITONS
RECOMBINATION
RELAXATION
LIFETIMES
EMISSION
EPITAXY
LASERS
Effect of nonradiative recombination on carrier dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2566-2569
Sun Z (Sun Zheng)
;
Wang BR (Wang Bao-Rui)
;
Xu ZY (Xu Zhong-Ying)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Ji Y (Ji Yang)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAASN ALLOYS
High-temperature electron-hole liquid and dynamics of fermi excitons in a in0.65al0.35as/al0.4ga0.6as quantum dot array
期刊论文
Physical review b, 2005, 卷号: 71, 期号: 8, 页码: 6
作者:
Ding, CR
;
Wang, HZ
;
Xu, B
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/05/12
High-temperature electron-hole liquid and dynamics of Fermi excitons in a In0.65Al0.35As/Al0.4Ga0.6As quantum dot array
期刊论文
physical review b, 2005, 卷号: 71, 期号: 8, 页码: art.no.085304
Ding, CR
;
Wang, HZ
;
Xu, B
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/17
DROPLET FORMATION
Time-resolved photoluminescence studies of alingan alloys
期刊论文
Chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 1148-1150
作者:
Dong, X
;
Huang, JS
;
Li, DB
;
Liu, XL
;
Xu, ZY
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Time-resolved photoluminescence studies of AlInGaN alloys
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 1148-1150
作者:
Li DB
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
LUMINESCENCE
Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77
作者:
Li DB
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
stretched exponential
time-resolved photolummescence
metalorganic vapor phase epitaxy
nitrides
InAlGaN
INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
GAN
DECAY
LUMINESCENCE
SAPPHIRE
DEVICES
SILICON
Exciton localization in In0.15Ga0.85As/GaAs quantum wire structures grown on (553)B-oriented GaAs substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5111-5114
Liu BL
;
Liu B
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:115/11
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CORRUGATED GAAS/ALAS SUPERLATTICES
RADIATIVE LIFETIMES
WELLS
RECOMBINATION
SURFACES
DEPENDENCE
DOTS
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