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半导体研究所 [17]
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Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in czochralski silicon single crystal growth
期刊论文
Microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509
作者:
Zhang, ZC
;
Ren, BY
;
Chen, YH
;
Yang, SY
;
Wang, ZG
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/05/12
Czochralski method
Growth from melt
Semiconductor silicon
Argon gas flow
Computer simulation
Oxygen content
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/11/15
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
期刊论文
microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
12th international semicoducting and insulating materials conference (simc-xii2002), smolenice, slovakia, jun 30-jul 05, 2002
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/10/29
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
FLOATING-ZONE GROWTH
CRYSTAL-GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
SEGREGATION
STOICHIOMETRY
SILICON
DEFECTS
INSB
Tentative analysis of swirl defects in silicon crystals
期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 276-282
作者:
Fan, TW
;
Qian, JJ
;
Wu, J
;
Lin, LY
;
Yuan, J
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2019/05/12
Swirl defect
Silicon
Electron energy loss spectroscopy
Hydrogen catalyzed oxygen precipitation in crystalline silicon
期刊论文
Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 105-108
作者:
Li, HX
;
Xue, CS
;
Chen, LS
;
Zhou, W
;
Liu, GR
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Oxygen precipitation
Hydrogen catalysis
Silicon
Tentative analysis of Swirl defects in silicon crystals
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 276-282
Fan TW
;
Qian JJ
;
Wu J
;
Lin LY
;
Yuan J
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浏览/下载:80/0
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提交时间:2010/08/12
swirl defect
silicon
electron energy loss spectroscopy
Study on the oxygen concentration reduction in heavily sb-doped silicon
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 196, 期号: 1, 页码: 111-114
作者:
Liu, CC
;
Wang, HM
;
Li, YX
;
Wang, QL
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Heavily sb-doped silicon
Oxygen concentration
Thermodynamic calculation
Oxygen solubility
Lattice strain
The influence of oxygen content on photoluminescence from Er-doped SiOx
会议论文
symposium e on luminescent materials at the 1999 mrs spring meeting, san francisco, ca, apr 05-08, 1999
Chen WD
;
Liang JJ
;
Hsu CC
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/10/29
Study on the oxygen concentration reduction in heavily Sb-doped silicon
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 196, 期号: 1, 页码: 111-114
Liu CC
;
Wang HM
;
Li YX
;
Wang QL
;
Ren BY
;
Xu YS
;
Que DL
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
heavily Sb-doped silicon
oxygen concentration
thermodynamic calculation
oxygen solubility
lattice strain
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