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半导体研究所 [68]
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发表日期
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2016 [3]
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(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
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浏览/下载:447/0
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提交时间:2017/06/05
氮化镓
异质结构
二维空穴气
二维电子气
高电子迁移率晶体管
4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
-
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2017/06/02
4H-SiC
场效应晶体管
NO退火
UMOSFET
欧姆接触
槽角圆弧化
米勒电容
GaN基紫外探测器的欧姆接触工艺和器件物理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
李晓静
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2016/06/02
AlGaN基深紫外发光二极管和激光器关键技术研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
田迎冬
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2016/06/01
AlN
AlGaN 基深紫外 LED
AlGaN 基紫外 Laser
AlN 纳米柱
半极性面纳米锥
脉冲激光退火制备Ni/SiC欧姆接触
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
刘敏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/05/26
脉冲激光退火
SiC欧姆接触
数值模拟
接触特性
4H-SiC肖特基二极管的设计、研究与制备
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
刘胜北
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2015/12/08
4H-SiC
肖特基二极管
JBS
沟槽型肖特基
欧姆接触
4H-SiC肖特基二极管的设计与研制及4H-SiC/SiO2界面研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
郑柳
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2014/06/05
4H-SiC
肖特基二极管
双阻终端扩展
欧姆接触
可靠性
TMBS
4H-SiC/SiO2界面
p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响
期刊论文
物理学报, 2012, 卷号: 61, 期号: 21, 页码: 217302-1-217302-6
王晓勇,种明,赵德刚,苏艳梅
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/05/29
一种测量p-GaN载流子浓度的方法
期刊论文
物理学报, 2011, 卷号: 60, 期号: 3, 页码: 721-728
作者:
赵德刚
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2011/08/16
单模量子级联激光器线阵列结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12, 2010-10-15
高 瑜
;
刘峰奇
;
刘俊岐
;
王占国
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/08/12
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