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半导体研究所 [11]
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2016 [2]
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专题:半导体研究所
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CdX(X=S, Se, Te)半导体体材料及纳米线应变效应的第一性原理研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
相琳琳
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/06/01
第一性原理计算
电子结构性质
单轴应变
II-VI族半导体材料
纳米线
肌肉阻抗图技术及临床应用研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
李钊
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浏览/下载:186/0
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提交时间:2017/06/02
神经肌肉疾病
肌肉阻抗
微针电极
手持电极
临床研究
基于MnGa/Co2MnSi双层膜的垂直易磁化隧道结设计及制备
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
毛思玮
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2017/05/31
分子束外延
垂直磁性隧道结
MnGa
Co2MnSi
反铁磁耦合
半导体纳米材料掺杂和应力调控的第一性原理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
陈卉
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浏览/下载:164/0
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提交时间:2016/05/31
纳米半导体材料
本征缺陷
掺杂原子
电子性质
磁性
应变
第一性原理计算
GaSb 单晶本征缺陷热致转变对材料光电性质的影响及Ga2O3单晶气相生长研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
苏杰
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/05/31
非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 7, 页码: 3327-3331
郝会颖
;
孔光临
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曾湘波
;
许颖
;
刁宏伟
;
廖显伯
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2010/11/23
半导体辐射探测器
专著
北京:国防工业出版社, 北京, 2004
刘忠立
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浏览/下载:216/0
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提交时间:2009/09/19
静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究
期刊论文
光谱学与光谱分析, 2003, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 223-225
作者:
章昊
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/23
GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究
期刊论文
红外与毫米波学报, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 25
罗向东
;
徐仲英
;
潘钟
;
李联合
;
林耀望
;
葛维琨
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响
期刊论文
发光学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 151
王志路
;
张志伟
;
孙宝权
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
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