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半导体研究所 [39]
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专题:半导体研究所
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Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Formation of silicon nanocrystals embedded in high-kappa dielectric HfO2 and their application for charge storage
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: article no.21018
Li WL
;
Jia R
;
Chen C
;
Li HF
;
Liu XY
;
Yue HH
;
Ding WC
;
Ye TC
;
Kasai S
;
Hashizume T
;
Wu NJ
;
Xu BS
收藏
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浏览/下载:38/2
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提交时间:2011/07/05
SI NANOCRYSTALS
MEMORY
TECHNOLOGY
DEPOSITION
VOLTAGE
LAYER
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
收藏
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浏览/下载:58/3
  |  
提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801
Wu YX (Wu Yu-Xin)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Chen GF (Chen Gui-Feng)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:127/4
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提交时间:2010/04/13
GaN
Si (111) substrate
metalorganic chemical vapour deposition
AlN buffer layer
AlGaN interlayer
: VAPOR-PHASE EPITAXY
CRACK-FREE GAN
STRESS-CONTROL
SI(111)
DEPOSITION
ALXGA1-XN
FILM
Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111)
期刊论文
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103
Wang H (Wang Hui)
;
Liang H (Liang Hu)
;
Wang Y (Wang Yong)
;
Ng KW (Ng Kar-Wei)
;
Deng DM (Deng Dong-Mei)
;
Lau KM (Lau Kei-May)
收藏
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浏览/下载:96/3
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提交时间:2010/04/22
VAPOR-PHASE EPITAXY
TEMPERATURE ALN INTERLAYERS
CRACK-FREE GAN
STRESS-CONTROL
SI(111)
DEPOSITION
REDUCTION
THICKNESS
NITRIDE
LAYERS
Evolution of surface morphology and photoluminescence characteristics of 1.3-mu m In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese optics letters, 2009, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 52-55
Wei QX
;
Ren ZW
;
He ZH
;
Niu ZC
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浏览/下载:76/0
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提交时间:2010/03/08
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
OPTICAL-PROPERTIES
CAP LAYER
GAAS
DEPOSITION
Temperature Insensitivity of Optical Properties of InAs/GaAs Quantum Dots due to a Pregrown InGaAs Quantum Well
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017802
作者:
Jin P
收藏
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浏览/下载:167/34
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提交时间:2010/03/08
EXCITATION DEPENDENCE
LINE-SHAPE
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
HETEROSTRUCTURES
EPITAXY
Raman scattering study on Ga1-xMnxAs prepared by Mn ions implantation, deposition and post-annealing
期刊论文
crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220
Islam MR
;
Chen NF
;
Yamada M
收藏
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浏览/下载:224/44
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提交时间:2010/03/08
Raman scattering
ferromagnetic
semiconductor
GaMnAs
Mn ions implantation
deposition
Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 23, 页码: 7462-7466
Hu, WG
;
Liu, XL
;
Jiao, CM
;
Wei, HY
;
Kang, TT
;
Zhang, PF
;
Zhang, RQ
;
Fan, HB
;
Zhu, QS
收藏
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浏览/下载:55/4
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
WURTZITE-TYPE CRYSTALS
THIN-FILMS
ALUMINUM NITRIDE
INTRINSIC STRESS
GAN
SAPPHIRE
AIN
DEPOSITION
STRAIN
Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492
Peng CX
;
Weng HM
;
Yang XJ
;
Ye BJ
;
Cheng B
;
Zhou XY
;
Han RD
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浏览/下载:235/9
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE ZNO
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
SUBSTRATE
VACANCIES
LAYER
BEAM
GAN
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