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科研机构
西安理工大学 [8]
内容类型
会议论文 [4]
期刊论文 [4]
发表日期
2019 [1]
2018 [5]
2017 [2]
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Diode and RC Co-Triggered 2xVDD-Tolerant Electrostatic Discharge Detection Circuit in Nanoscale Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Technology
期刊论文
2019, 卷号: 14, 页码: 734-739
作者:
Yang, Zhaonian
;
Yang, Yuan
;
Jing, Kai
;
Yu, Ningmei
;
Liou, Juin J.
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/20
Detection Circuit
Diode and RC Co-Triggered
Electrostatic Discharge (ESD)
2xVDD-Tolerant
Statically triggered 3 x VDD-Tolerant ESD detection circuit in a 90-nm low-voltage CMOS process
期刊论文
2018, 卷号: 78, 页码: 88-93
作者:
Yang, Zhaonian
;
Yang, Yuan
;
Yu, Ningmei
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  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/12/20
Bias circuit
Detection circuit
Electrostatic discharge (ESD)
Leakage current
Statically triggered
Impact of the Gate Structure on ESD Characteristic of Tunnel Field-Effect Transistors
会议论文
2018 7TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NEXT-GENERATION ELECTRONICS (ISNE), 2018-01-01
作者:
Yang, Zhaonian
;
Yu, Ningmei
;
Liou, Juin J.
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浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/12/20
electrostatic discharge (ESD)
electric field
gate structure
tunnel field-effect transistor (TFET)
2xVDD-Tolerant ESD Detection Circuit in a 90-nm Low-Voltage CMOS Process
会议论文
2018 7TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NEXT-GENERATION ELECTRONICS (ISNE), 2018-01-01
作者:
Yang, Zhaonian
;
Zhang, Yue
;
Yu, Ningmei
;
Liou, Juin J.
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/12/20
detection circuit
electrostatic discharge (ESD)
2xVDD-tolerant
voltage triggered
Improving ESD Protection Robustness Using SiGe Source/Drain Regions in Tunnel FET
期刊论文
2018, 卷号: 9
作者:
Yang, Zhaonian
;
Yang, Yuan
;
Yu, Ningmei
;
Liou, Juin J.
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
band-to-band tunneling (BTBT)
electrostatic discharge (ESD)
tunnel field-effect transistor (TFET)
Silicon-Germanium source
drain (SiGe S
D)
technology computer aided design (TCAD)
Investigation of the Double Current Path Phenomenon in Gate-Grounded Tunnel FET
期刊论文
2018, 卷号: 39, 页码: 103-106
作者:
Yang, Zhaonian
;
Zhang, Yue
;
Yang, Yuan
;
Yu, Ningmei
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/20
Band-to-band tunneling (BTBT)
double current path
electrostatic discharge (ESD)
gate grounded tunnel field-effect transistor (ggTFET)
Novel Electrostatic Discharge (ESD) Clamp Circuit with Low Leakage Current
会议论文
2017 IEEE 24TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2017-01-01
作者:
Liang, Wei
;
Yang, Zhaonian
;
Li, Hang
;
Dong, Aihua
;
Sundaram, Kalpathy B.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/20
Novel Voltage Triggered Electrostatic Discharge (ESD) Detection Circuit
会议论文
2017 IEEE 24TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL AND FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS (IPFA), 2017-01-01
作者:
Liang, Wei
;
Yang, Zhaonian
;
Dong, Aihua
;
Li, Hang
;
Sundaram, Kalpathy B.
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/20
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