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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：福州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thermal stability and data retention of resistive random access memory with HfOx/ZnO double layers 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26 作者:  Lai, Yun-Feng;  Chen, Fan;  Zeng, Ze-Cun;  Lin, PeiJie;  Cheng, Shu-Ying 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/21 data retention  thermal stability  double layer  resistive random access memory (RRAM)   Bipolar Resistive Switching in Al/GO-PEDOT:PSS/Pt Memory Devices 会议论文 作者:  Chao, Hong;  Yuan, Fang-Yuan;  Wu, Huaqiang;  Deng, Ning;  Wang, Chongjie 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/21 PEDOT:PSS  bipolar  graphene oxide  resistive random-access memory   Resistive Switching of Plasma-Treated Zinc Oxide Nanowires for Resistive Random Access Memory 期刊论文 NANOMATERIALS, 2016, 卷号: 6 作者:  Lai, Yunfeng;  Qiu, Wenbiao;  Zeng, Zecun;  Cheng, Shuying;  Yu, Jinling 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/21 self-rectification  ZnO nanowires  plasma treatment  resistive switching   Graphene Oxide and TiO2 Nano-particle Composite Based Nonvolatile Memory 会议论文 作者:  Chao, Hong;  Yuan, Fang-Yuan;  Wu, Huaqiang;  Deng, Ning;  Yu, Zhong-Zhen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/21 bipolar  graphene oxide  TiO2 nano-particles  resistive random-access memory   Defects and Resistive Switching of Zinc Oxide Nanorods with Copper Addition Grown by Hydrothermal Method 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2014, 卷号: 43, 页码: 2676-2682 作者:  Lai, Yunfeng;  Wang, Yuzhu;  Cheng, Shuying;  Yu, Jinling 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/21 hydrothermal method  resistive random-access memory  nanorods  Zinc oxide   Characteristics of tantalum-doped silicon oxide-based resistive random access memory 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2014, 卷号: 27, 页码: 293-296 作者:  Hsieh, Wei-Kang;  Lam, Kin-Tak;  Chang, Shoou-Jinn 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/21 Resistance random access memory (RRAM)  Tantalum  Nonvolatile memory  Silicon oxide   Effects of Oxygen Partial Pressure on the Sputtered Hafnium Oxide Thin Films for Resistive Random-Access Memory 会议论文 作者:  Xie, Zhongliang;  Lai, Yunfeng 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/21 RE Reactive Magnetron Sputtering  Resistance Change  RRAM  Hafnium Oxide