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湖南大学 [27]
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期刊论文 [27]
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2016 [4]
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Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiO x nanofins down to 20 nm
期刊论文
Nanotechnology, 2019, 卷号: Vol.30 No.29
作者:
Bi, Kaixi
;
Liu, Huaizhi
;
Chen, Yiqin
;
Luo, Fang
;
Shu, Zhiwen
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/13
Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiO x nanofins down to 20 nm.
期刊论文
Nanotechnology, 2019, 卷号: Vol.30 No.29, 页码: 295301
作者:
Kaixi Bi
;
Huaizhi Liu
;
Yiqin Chen
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/17
Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29
作者:
Bi, KX
;
Liu, HZ
;
Chen, YQ
;
Luo, F
;
Shu, ZW
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/17
short channel devices
hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists
large area preparation
Epitaxial growth of non-layered PbSe nanoplates on MoS2 monolayer for infrared photoresponse
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2019, 卷号: Vol.12 No.5
作者:
Chen, TR
;
Fan, C
;
Zhou, WC
;
Zou, XM
;
Xu, X
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  |  
浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/17
Ultrafast nonlinear absorption enhancement of monolayer MoS2 with plasmonic Au nanoantennas.
期刊论文
Optics letters, 2019, 卷号: Vol.44 No.13, 页码: 3198-3201
作者:
Miao, RL
;
Shu, ZW
;
Hu, YZ
;
Tang, YX
;
Hao, H
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/17
Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20nm
期刊论文
NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: Vol.30 No.29
作者:
Bi, KX
;
Liu, HZ
;
Chen, YQ
;
Luo, F
;
Shu, ZW
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/17
short channel devices
hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists
large area preparation
Short channel monolayer MoS2 field-effect transistors defined by SiOx nanofins down to 20 nm.
期刊论文
Nanotechnology, 2019
作者:
Kaixi Bi
;
Huaizhi Liu
;
Yiqin Chen
;
Fang Luo
;
Zhiwen Shu
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2019/12/17
hydrogen silsesquioxane (HSQ) electron resists
large area preparation
short chaneel devices
Transition from T-4 to T-1 behavior of conductivity and violation of Matthiessen\'s rule in p-type monolayer MoS2 from acoustic phonon scattering
期刊论文
PHYSICAL REVIEW B, 2019, 卷号: Vol.99 No.7
作者:
Yu, XQ
;
Xu, QL
;
Zhu, ZG
;
Su, G
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/17
Press-engineered funnel effect in MoS2 monolayer homojunction.
期刊论文
Journal of Physics: D Applied Physics, 2019, 卷号: Vol.52 No.5, 页码: 1
作者:
Guoru Zhou
;
Le Huang
;
Mianzeng Zhong
;
Zhongming Wei
;
Jingbo Li
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/17
ELECTRONIC
structure
*ENERGY
gaps
(Physics)
*MONOMOLECULAR
films
Press-engineered funnel effect in MoS2 monolayer homojunction
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: Vol.52 No.5
作者:
Zhou, Guoru
;
Huang, Le
;
Zhong, Mianzeng
;
Wei, Zhongming
;
Li, Jingbo
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/17
funnel
effect
band
alignment
homojunction
electronic
properties
first-principles
calculation
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