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湖南大学 [2]
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期刊论文 [2]
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2011 [2]
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Research on high-voltage 4H—SiC P—i—N diode with planar edge junction termination techniques
期刊论文
Chinese Physics B, 2011, 卷号: Vol.20 No.6, 页码: 67102
作者:
Zhang, Fa-Sheng
;
Li, Xin-Ran
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/05
silicon carbide
P-i-N diode
junction termination technique
simulation
breakdown voltage
Research on high-voltage 4H–SiC P–i–N diode with planar edge junction termination techniques
期刊论文
Chinese Physics B, 2011, 卷号: Vol.20 No.6, 页码: 067102
作者:
Zhang, FS
;
Li, XR
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2020/01/05
silicon carbide
P-i-N diode
junction termination technique
simulation
breakdown voltage
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