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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Controlling Injection Barriers for Ambipolar 2D Semiconductors via Quasi-van der Waals Contacts 期刊论文 ADVANCED SCIENCE, 2019, 卷号: 6, 期号: 11 作者:  Wang, Junjun;  Wang, Feng;  Wang, Zhenxing;  Cheng, Ruiqing;  Yin, Lei 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/12/05 ambipolar 2D semiconductors  Fermi level pinning effect  Schottky barrier  substrate influence  van der Waals heterostructures   Controlling Injection Barriers for Ambipolar 2D Semiconductors via Quasi-van der Waals Contacts (Open Access) 期刊论文 Advanced Science, 2019, 卷号: 6, 期号: 11 作者:  Wang, Junjun;  Wang, Feng;  Wang, Zhenxing;  Cheng, Ruiqing;  Yin, Lei 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/12/05