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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The study about the resistive switching based on graphene/NiO interfaces 期刊论文 AIP Advances, 2017, 卷号: Vol.7 No.8, 页码: 085308 作者:  Lu,Wenjuan;  Wang,Feifei;  Yang,Jin;  Ma,Chengzhi;  Dai,Yuehua 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 NONVOLATILE MEMORY  OXIDE  ELECTRODES  NANOWIRES  DFTB  RRAM   Physical mechanism of resistance switching in the co-doped RRAM 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: Vol.38 No.1, 页码: 014008 作者:  Chen,Junning;  Wang,Feifei;  Jiang,Xianwei;  Lu,Shibin;  Dai,Yuehua 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/04/22 ELECTROLYTE-BASED RERAM  CONDUCTIVE FILAMENTS  TI/HFO2 INTERFACE  MEMORY  OXIDE  PERFORMANCE  DEVICES   Physical mechanism of resistance switching in the co-doped RRAM 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: 第38卷, 页码: 104-109 作者:  Shibin Lu;  Junning Chen;  Yuehua Dai;  Feifei Wang;  Xianwei Jiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/17 RRAM  resistive  switching  co-doped  conductive  path  physical  mechanism   Physical Mechanism and Performance Factors of Metal Oxide Based Resistive Switching Memory: A Review 期刊论文 Journal of Materials Science and Technology, 2016, 卷号: Vol.32 No.1, 页码: 1-11 作者:  Ye,Cong;  Wang,Hao;  Zhang,Jieqiong;  He,Pin;  He,Gang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 POLYCRYSTALLINE NIO FILMS  THERMAL DISSOLUTION MODEL  THIN INSULATING FILMS  RESET MECHANISM  RRAM DEVICES  HIGH-DENSITY  HIGH-SPEED  LOW-POWER  UNIPOLAR  BIPOLAR   First principle simulations on the effects of oxygen vacancy in HfO2-based RRAM 期刊论文 AIP Advances, 2015, 卷号: Vol.5 No.1, 页码: 017133 作者:  Xu,Jianbin;  Zhao,Yuanyang;  Dai,Yuehua;  Yang,Fei;  Wang,Jiayu 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 OXIDE FILMS  NEGATIVE RESISTANCE  NONVOLATILE MEMORY   Metal dopants in HfO2-based RRAM: first principle study 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014, 卷号: Vol.35 No.4, 页码: 042002 作者:  Wang Jiayu;  Liu Qi;  Yang Fei;  Xu Jianbin;  Zhao Yuanyang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 缺陷对RRAM材料阻变机理的影响 期刊论文 功能材料, 2013, 卷号: 第17期, 页码: 2481-2485 作者:  卢金龙;  蒋先伟;  罗京;  徐太龙;  陈军宁 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/18 VASP  阻变效应  缺陷  导电通道  RRAM   Effects of interaction between defects on the uniformity of doping HfO-based RRAM: a first principle study 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2013, 卷号: Vol.34 No.3 作者:  Yuehua, Dai;  Xiaofeng, Li;  Wei, Zhang;  Ming, Liu;  Maoxiu, Zhou 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/04/24 DFT  hafnium  oxide  localized  effect  oxygen  vacancy  RRAM   Influence of defects on the resistive switching mechanism of RRAM 期刊论文 Gongneng Cailiao/Journal of Functional Materials, 2013, 卷号: Vol.44 No.17, 页码: 2481-2485 作者:  Xu,Hui-Fang;  Xu,Tai-Long;  Chen,Jun-Ning;  Luo,Jing;  Yang,Jin 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24