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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing-temperature-modulated optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol-gel-processed high-k HfAlOX gate dielectrics 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2017, 卷号: Vol.43 No.3, 页码: 3101-3106 作者:  Li,W. D.;  Jin,P.;  Zhang,M.;  Xiao,D. Q.;  Fang,Z. B. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/04/22 THIN-FILMS  INTERFACIAL PROPERTIES  HFO2 FILMS  MICROSTRUCTURE  EVAPORATION  NITRIDATION  DEPOSITION   Annealing temperature-dependent microstructure and optical and electrical properties of solution-derived Gd-doped ZrO2 high-k gate dielectrics 期刊论文 Journal of Sol-Gel Science and Technology, 2017, 卷号: Vol.83 No.3, 页码: 675-682 作者:  Liang, S.;  Jiang, S. S.;  Sun, Z. Q.;  He, G.;  Zhu, L. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 ATOMIC LAYER DEPOSITION  OXIDE THIN-FILMS  INTERFACIAL PROPERTIES  PLASMA-OXIDATION  HFO2  TRANSISTORS  MODULATION  SILICON  TIO2  ALD   Microstructure, optical and electrical properties of sputtered HfFiO high-k gate dielectric thin films 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: Vol.42 No.10, 页码: 11640-11649 作者:  Lv,J. G.;  Li,W. D.;  Jin,P.;  Liu,Y. M.;  Xiao,D. Q. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 ANNEALING TEMPERATURE  PHYSICAL-PROPERTIES  BAND ALIGNMENT  HFO2  MODULATION  CAPACITORS  STACKS  TIO2   Microstructure, optical, electrical properties, and leakage current transport mechanism of sol–gel-processed high-k HfO2 gate dielectrics 期刊论文 Ceramics International, 2016, 卷号: Vol.42 No.6, 页码: 6761-6769 作者:  Sun,Zhaoqi;  Liu,Yanmei;  Zhang,Miao;  Lv,Jianguo;  Liu,Mao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 THIN-FILMS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  HAFNIUM  DEPOSITION  STACKS  ALD   Effects of rapid thermal annealing on interfacial and electrical properties of Gd-doped HfO2 high-k gate dielectrics 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.646, 页码: 310-314 作者:  Jiweng Zhang;  Mao Liu;  Lide Zhang;  Juan Gao;  Xuefei Chen 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 Gd-doped  HfO  thin  film  Rapid  thermal  annealing  Interfacial  properties  Electrical  properties   Modulation of charge trapping and current-conduction mechanism of TiO2-doped HfO2 gate dielectrics based MOS capacitors by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2015, 卷号: Vol.647, 页码: 1054-1060 作者:  X.F. Chen;  Z.Q. Sun;  H.S. Chen;  J.W. Zhang;  R. Ma 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 High-k  gate  dielectrics  TiO-doped  HfO  Puttering  Current-conduction  mechanism   Annealing temperature dependence on the structural and optical properties of sputtering-grown high-k HfO2 gate dielectrics 期刊论文 Journal of Materials Science. Materials in Electronics, 2014, 卷号: Vol.25 No.9, 页码: 4163-4169 作者:  G. He;  M. Liu;  J. W. Zhang;  X. F. Chen;  Z. Q. Sun 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 Interfacial thermal stability and band alignment of Al2O3/HfO2/Al2O3/Si gate stacks grown by atomic layer deposition 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2014, 卷号: Vol.591, 页码: 240-246 作者:  Wei,H.H.;  Sun,Z.Q.;  Cui,J.B.;  Zhang,M.;  Chen,H.S. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/24 High-k  gate  dielectrics  Annealing  temperature  X-ray  photoelectron  Spectroscopy  Band  alignment   Microstructure optimization and optical and interfacial properties modulation of sputtering-derived HfO2 thin films by TiO2 incorporation 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2014, 卷号: Vol.611, 页码: 253-259 作者:  Zhou, L;  He, G;  Chen, XF;  Zhang, JW;  Chen, HS 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24 High-k gate dielectrics  TiO-doped HfO  RF sputtering  Optical constant   Interface optimization and modification of band offsets of ALD-derived Al2O3/HfO2/Al2O3/Ge gate stacks by annealing temperature 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2014, 卷号: Vol.615, 页码: 672-675 作者:  He, G;  Liu, M;  Wei, HH;  Gao, J;  Chen, XS 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/24 High-k gate dielectrics  Annealing temperature  Band offset  Thermal stability